光子芯片中试线项目内景。滨湖区委宣传部供图

9月25日，在2024集成电路（无锡）创新发展大会上，由上海交通大学无锡光子芯片研究院建设的国内首条光子芯片中试线在无锡市滨湖区正式启用。

据悉，该中试平台总面积17000平方米，集科研、生产、服务于一体，配备了超100台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖了薄膜铌酸锂光子芯片从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。平台还兼顾硅、氮化硅等其他材料体系，搭建了N个特色工艺平台，形成“1+N”先进光子器件创新平台，不仅可为高校、科研院所、创新企业提供全流程技术服务，还可以为光子产业孵化项目，与产业基金高效联动，打通从产品研发到市场化的完整链条，加速科技成果的商业化转化。

“技术的高速迭代与创新是推动光子芯片产业化的核心关键。”上海交通大学无锡光子芯片研究院院长金贤敏表示，中试平台不仅能加速技术迭代的飞轮效应，促进工艺流程的持续优化和产品创新能力的提升，还将以前所未有的速度触摸到科技前沿的“天区”，破解创新链和产业链长期存在的结构性矛盾。

据介绍，该中试线正式启用后，预计年产能达10000片晶圆，2025年第一季度将正式发布PDK，提供对外流片服务。下阶段，上海交通大学无锡光子芯片研究院将基于6/8寸薄膜铌酸锂晶圆，以薄膜铌酸锂调制器为核心，攻克薄膜铌酸锂光子芯片产业化面临的工程技术难题，开发晶圆级芯片量产工艺，实现薄膜铌酸锂光子芯片规模量产，满足人工智能发展等大算力需求。

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